BASiC Semiconductor SiC分立器件产品文档红启网，其SiC MOSFET产品矩阵及应用市场梳理如下：
SiC MOSFET产品矩阵
电压等级导通电阻 (Rds(on))封装型号产品型号技术代际特点状态650V40mΩTO-247-3B3M040065HG3.5开关损耗极低，易并联量产
TO-247-4B3M040065Z
TOLL (低感封装)B3M040065L
TOLT (顶部散热)B3M040065B
750V8mΩTO-247-4B2M008075HK-汽车级量产
10mΩTO-247-3/4B3M010C075H/Z-
1200V6mΩTO-247PLUS-4B2M006120Y-低开关损耗量产
11mΩTO-247-4 / SOT-227B2M011120HK / B2M012120N-汽车级（部分型号）红启网
展开剩余77%13.5mΩTO-247-3/4B3M013C120H/ZG3FOM降低30%，高一致性量产
20mΩTO-247-4*B3M020120ZL-平面栅技术即将发布
30mΩTO-247-4 / SOT-227B2M030120Z / B2M030120N-汽车级（B2M030120Z）量产
40mΩTO-247-3/4 / TO-263-7B3M040120H/Z/RG3FOM降低5%量产
65mΩTO-247-3/4 / TO-263-7B2M065120H/Z/RG2高性价比量产
80mΩTO-247-3/4 / TO-263-7A82M080120H/Z/R-汽车级（A82M080120R）
160mΩTO-247-3/4 / TO-263-7B2M160120H/Z/RG2
1400V42mΩTO-247-4B3M042140Z-高压应用优化量产1700V600mΩTO-247-3 / TO-263-7B2M600170H/R-超高压场景量产
注： 汽车级：标注型号通过AEC-Q101认证（如B2M030120Z、B2M040120R等）。 G3/G3.5：第三代/3.5代工艺，FOM值更低，开关损耗优化显著。 封装说明：TO-247-4（开尔文连接）、TOLL/TOLT（低感/顶部散热）、SOT-227（高功率密度）。核心应用市场
应用领域典型场景推荐型号产品优势光伏逆变器户用/工商业储能、集中式逆变器650V: B3M040065Z系列
1200V: B3M040120Z/R
1700V: B2M600170H高开关频率、低损耗、高温稳定性高电动汽车OBC、DC-DC、主驱模块750V: B2M008075HK (汽车级)
1200V: B2M030120Z (汽车级)符合车规可靠性、低导通电阻、高功率密度充电桩直流快充模块650V: B3M040065H/Z
1200V: B3M013C120Z高效率（>98%）、支持高频拓扑（图腾柱）工业电源通信电源、服务器电源650V: B3M040065L (TOLL封装)
1200V: B3M040120R小尺寸封装、低热阻、易并联设计电机驱动电焊机、变频器1200V: B2M065120H/Z
B3M040120Z高抗短路能力、低开关噪声测试设备高精度测试电源650V: B3M040065B (TOLT)
1200V: B3M020120ZL顶部散热优化、低栅极电荷(Qg)选型关键点红启网
高频应用（如光伏/充电桩）： 优先选G3代产品（如B3M040120Z），FOM值低30%，开关损耗更优。 高可靠性场景（汽车/工业）： 选择汽车级认证型号（如B2M030120Z），通过HTRB/H3TRB 2500小时加严测试。 空间受限设计： 采用TOLL/TOLT封装（如B3M040065L），杂散电感＜10nH，支持＞100kHz开关频率。 高压系统（＞1500V）： 选用1400V/1700V系列（如B3M042140Z、B2M600170H），适配风电/储能变流器。 提示： 所有型号工作结温（Tj）均支持 175℃，可靠性标准符合JEDEC/AEC-Q101。 详细参数见文档P4-P8（静态特性）、P12-P15（动态特性）。发布于：广东省涌融优配提示：文章来自网络，不代表本站观点。
